Dysk SSD 990PRO Gen4.0x4 NVMe 4TB MZ-V9P4T0BW

Indeks: MZV9P4T0BW
Producent: Samsung

Kolor : Nie dotyczy

Pojemność : 4 TB

Szerokość : 22 mm

Głębokość : 80 mm

Wysokość : 2.3 mm

Przejdź do specyfikacji
1 552,24 zł
Brutto
Obecnie brak na stanie
Chwilowy brak produktu

Wpisz swój adres e-mail jeśli chcesz otrzymać powiadomienie gdy produkt będzie już dostępny

Tutaj dowiesz się jak chronimy Twoje dane.

Masz pytania? Zapytaj

+48 32 307 12 12

sklep@drukarki.pl

Opis

SSD 990PRO

Najbardziej zaawansowany dysk SSD

Wykorzystaj maksymalne możliwości PCIe 4.0. Ciesz się długotrwałą, nieosiągalną dla przeciwników wydajnością. Autorski układ zarządzania temperaturą, zapewnia niezwykle niskie zużycie energii, zachowując jednocześnie niespotykany poziom szybkości i wydajności - abyś to Ty zawsze miał pełną kontrolę nad grą.

Zmaksymalizowana prędkość pod kątem PCIe 4.0
Znacznie szybsze działanie. Szybkości odczytu/zapisu losowego o 40% i 55% wyższe niż w modelu 980 PRO - do 1400K/1550K IOPS, zaś szybkości zapisu/odczytu sekwencyjnego wynoszące do 7450/6900 MB/s są niemal równe maksymalnym limitom PCIe 4.0. Zapomnij o ograniczeniach w grach, edycji wideo i 3D oraz wielu innych.

Przełomowa wydajność energetyczna
Mniej energii, większa wydajność. Lepsze parametry eksploatacyjne oznaczają zwykle większe zużycie energii. Jednak model 990 PRO zużywa mniej energii - jego wydajność na jeden wat jest o 50% lepsza niż w przypadku dysku 980 PRO. Taka charakterystyka umożliwia maksymalne wykorzystanie możliwości standardu PCIe 4.0 przy jednoczesnej optymalizacji wydajności energetycznej.

Inteligentne zarządzanie energią cieplną
Szybkość bez kompromisów dotyczących ciepła. Wyposażony w powłokę niklową kontroler oraz zaawansowany algorytm kontrolowania ilości wytwarzanego ciepła pozwalają odpowiednio zarządzać temperaturą, gwarantując optymalną wydajność. Odprowadzająca ciepło naklejka chłodzi chip NAND, zaś technologia Dynamic Thermal Guard utrzymuje temperaturę na optymalnym poziomie.

Stworzony dla zwycięzców
Najlepsze wrażenia podczas gry. Większa o 55% szybkość zapisu/odczytu losowego pozwala szybciej ładować dane, zapewniając tym samym najwyższy poziom realizmu na konsoli PS5 oraz w grach PC zgodnych ze standardem DirectStorage.

Oprogramowanie Samsung Magician
Wykorzystaj pełnię możliwości modelu 990 PRO. Oprogramowanie Samsung Magician oferuje przyjazną dla użytkownika gamę narzędzi optymalizujących, które pozwalają na uzyskanie maksymalnej wydajności dysku SSD. Zabezpieczaj dane, pobieraj aktualizacje, monitoruj stan dysku i ustawiaj odpowiednie kombinacje podświetlenia LED. Twój osobisty zestaw narzędzi do dysku SSD.

Pamięć flash nr 1 na świecie
Doświadcz nadzwyczajnej wydajności i niezawodności, którą gwarantuje wyłącznie marka. zajmująca pozycję globalnego lidera w dziedzinie pamięci Flash od 2003 r. Całe oprogramowanie układowe i wszystkie komponenty, w tym światowej sławy DRAM i NAND Samsung, produkowane są wewnętrznie, co przekłada się na całkowitą kontrolę nad jakością.

SpecyfikacjaZwiń

Papiery foto
Kolor
Nie dotyczy
Ogólne
Model
990PRO
Interfejs
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Prędkość odczytu
7450 MB/s
Prędkość zapisu
6900 MB/s
Typ dysku
SSD
Form factor (width)
M.2 2280
Typ napędu
Wewnętrzny
Pojemność dysku
4 TB
Interfejs dysku
PCI-Express
Rodzaj urządzenia
SSD - wewnętrzny
Typ pamięci NAND
Komórka wielopoziomowa (MLC)
Algorytm kodowania
256 bitów AES
TBW
2400 TB
Ilość operacji odczytu IOPS (maks.)
1600 Kilo
Ilość operacji zapisu IOPS (maks.)
1550 Kilo
Kodowanie sprzętu
Tak
Format szerokości
M.2 2280
Rozszerzenie / połączenie
Kompatybilna Wnęka
M.2 2280
Połączenia
Interfejsy
PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Materiał eksploatacyjny
Pojemność
4 TB
Oprogramowanie / Wymagania systemowe
Dołączone oprogramowanie
Samsung Magician Software
Wymiary i waga
Szerokość
22 mm
Głębokość
80 mm
Wysokość
2.3 mm
Waga
9 g
RAM
Rodzaj obudowy
M.2 2280
Wydajność
Szybkość wewnętrzna danych
7450 MBps (odczyt) / 6900 MBps (zapis)
Maksymalny zapis losowy 4KB
1550000 IOPS
Maks. odczyt losowy 4KB
1600000 IOPS
Parametry środowiska
Minimalna temperatura pracy
0 °C
Maksymalna temperatura pracy
70 °C
Odporność na wstrząsy (w stanie spoczynku)
1500 g
Odporność na wstrząsy (podczas pracy)
Półokres sinusoidy 0,5 ms
Różne
Cechy
Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, NVM Express (NVMe) 2.0, Pamięć Podręczna 4 GB Niska Moc DDR4 SDRAM, wsparcie TRIM, technologia Garbage Collection, obsługa Usypiania Urządzenia, Dynamic Thermal Guard protection, S.M.A.R.T.
MTBF
1,500,000 godziny
Zgodność z normami
IEEE 1667
Zasilanie
Zużycie energii
5.5 wat (przeciętna) 55 mW (bezczynność)

Pasujące produkty

Cookies

Informacje dotyczące plików cookies

Ta witryna korzysta z własnych plików cookie, aby zapewnić Ci najwyższy poziom doświadczenia na naszej stronie . Wykorzystujemy również pliki cookie stron trzecich w celu ulepszenia naszych usług, analizy a nastepnie wyświetlania reklam związanych z Twoimi preferencjami na podstawie analizy Twoich zachowań podczas nawigacji.

Zarządzanie plikami cookies

O Cookies

Pliki cookie to niewielkie pliki tekstowe, które są zapisywane na komputerze lub urządzeniu mobilnym przez strony internetowe, które odwiedzasz. Służą do różnych celów, takich jak zapamiętywanie informacji o logowaniu użytkownika, śledzenie zachowania użytkownika w celach reklamowych i personalizacji doświadczenia przeglądania użytkownika. Istnieją dwa rodzaje plików cookie: sesyjne i trwałe. Te pierwsze są usuwane po zakończeniu sesji przeglądarki, podczas gdy te drugie pozostają na urządzeniu przez określony czas lub do momentu ich ręcznego usunięcia.

Loading...